Explicando as memórias flash
É importante saber o que compõe uma célula Flash antes de explicar a variação entre o SLC e Flash MLC. Cada célula consiste de um único transistor, com um adicional de “ floating gate “ que armazena elétrons.
A figura abaixo mostra a arquitetura de uma célula SLC.
Figura 2 - Flash Transistor Cell
A Grande diferença de tensão entre o dreno e a fonte Vd – Vs, criar um campo elétrico de grande porte. O Campo elétrico converte a poli anteriormente não condutiva - Si ( Silicio ) , para um canal condutor que permite, os elétrons fluam da fonte para o Dreno.
O Campo elétrico causado por um grande portão de Tensão, Vg que é utilizado para colidir os elétrons, a partir de um canal para uma porta flutuante. Como o elétron viaja mais próximo ao dreno, ela ganha mais impulso e, assim, mais energia. Mas, esta quantidade energia não é suficiente para empurrar um elétron para o portão de flutuantes.
Elétrons com ímpeto de alta perto da fuga as vezes pode chocar – se com átomos de Silício ( Si ).
Isso dá a colisão do elétron energia suficiente para empurrar para a porta flutuante. O número de elétrons no portão flutuante afeta a tensão de limiar do Celular Vt, este efeito é medido para determinar o estado da célula.
Nenhum comentário:
Postar um comentário